Milli.Az ICTnews-a istinadən bildirir ki, yaddaş modulu 20 nanometrlik texnoloji proses üzrə hazırlanıb. Yaddaş modulunun işləməsi üçün 1,2 volt gərginlik lazımdır, müqayisə üçün DDR3 yaddaş modulunda bu göstərici 1,35 volt təşkil edir.
Yeni yaddaş modulları 2133 MHs takt tezliyində işləyir.
DDR4 yaddaş modullarının dəstəyi ilə server prosessorları artıq cari ilin sonunda çıxarılmalıdır.
Milli.Az